Modeling of Drain Current in Double-Gate Heterojunction Tunneling FETs: a Physical-Analytical Approach
Publish place: Journal of Modeling & Simulation in Electrical & Electronics Engineering، Vol: 1، Issue: 3
Publish Year: 1400
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: English
View: 9
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_MSEEE-1-3_001
تاریخ نمایه سازی: 2 مهر 1403
Abstract:
In this paper, we develop an analytical potential model for the double-gate Heterostructure Tunneling Field-Effect Transistors (H-TFETs) to accurately predict the electrostatic potential profile of the device in all regions of operation. Using the potential model, we present appropriate relations for the tunneling distance at a specified energy level in the bandgap of the tunneling junction. Finally, based on the highest tunneling rate formalism, the minimum tunneling distance is employed to calculate the tunneling current, which is the dominant on-state current flow mechanism in the H-TFETs. We show that our models closely match the results obtained by numerical simulations, for various heterostructure devices with different material systems in a wide range of operation, from subthreshold to super threshold.
Keywords:
Analytical modeling , band-to-band tunneling , double-gate heterostructure tunnel field-effect transistor (H-TFET) , Drain Current
Authors
Danial Keighobadi
Department of Electrical Engineering, Semnan University, Semnan, Iran
Saeed Mohammadi
Department of Electrical Engineering, Semnan University, Semnan, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :