سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

شبیه سازی عددی هدایت نانوذرات مغناطیسی در محل دوشاخه شدن آئورت شکمی توسط میدان مغناطیسی سیم حامل جریان

Publish Year: 1396
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 58

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_MME-17-9_008

Index date: 17 February 2025

شبیه سازی عددی هدایت نانوذرات مغناطیسی در محل دوشاخه شدن آئورت شکمی توسط میدان مغناطیسی سیم حامل جریان abstract

در این مقاله دارورسانی مغناطیسی توسط نانوذرات مغناطیسی که سطح آن با دارو پوشش داده شده است، به صورت عددی مطالعه می شود. بخشی از رگ مربوط به پای سمت راست که از آئورت شکمی جدا شده است به عنوان بافت هدف در نظر گرفته شده است. منبع مغناطیسی مورد استفاده یک تک سیم حامل جریان می باشد. مدل دوفاز بونگیورنو با در نظر گرفتن اثر نیروی مغناطیسی یعنی ترم مگنتو فورسس بهبود یافت. معادلات ناپایای حاکم با در نظر گرفتن نیروی کلوین ناشی از اثرات فروهیدرودینامیکی، به روش حجم محدود و توسط الگوریتم پیزو گسسته سازی شد. تاثیر مکان سیم و مقدار جریان گذرنده از آن (۱۰۰۰، ۲۰۰۰، ۳۰۰۰، ۴۰۰۰ و ۵۰۰۰ آمپر) بر میزان و زمان تجمع دارو در بافت هدف مورد بررسی قرار گرفت. قطر نانوذرات ۱۰ نانومتر و کسر حجمی آن ۰.۰۰۲ در نظر گرفته شده است. با توجه به نتایج، مکان منبع مغناطیسی بهتر است در بالادست بافت هدف و نزدیک به آن باشد. به علاوه استفاده از این روش میزان تجمع دارو در بافت هدف را می تواند تا ۷.۵ برابر افزایش دهد. از بین جریان های مطالعه شده بهترین عملکرد دارورسانی در جریان ۲۰۰۰ آمپر حاصل شد.

شبیه سازی عددی هدایت نانوذرات مغناطیسی در محل دوشاخه شدن آئورت شکمی توسط میدان مغناطیسی سیم حامل جریان Keywords:

شبیه سازی عددی هدایت نانوذرات مغناطیسی در محل دوشاخه شدن آئورت شکمی توسط میدان مغناطیسی سیم حامل جریان authors

صابر یکانی مطلق

هیات علمی دانشگاه صنعتی ارومیه

سالار دیهیم

دانشگاه صنعتی ارومیه