ساختار نواری تک لایه های InxGa1-xNyAs1-y و بررسی خصوصیات اپتیکی آنها
Publish place: Iranian Physics Conference 1386
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,277
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_243
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
Abstract:
عنصر کوچک ن یتروژن به دلیل الکترونگاتیوی بالا، با مشارکت در ساختار InGaAs عامل اساسی خصوصیالت جالب اپتیکی ساختارهای InGaNAs مـ ی باشـد . در درصد مورد بررس ی قرار گرفته است و نتا یج حاصل ب ا استفاده از ط یف نمـا یی فتولوم ینـسانس ن یـ ز 1 و 0/7 با مقدار نیتروژن InGaNAs این مقاله ن یز تک لا یه ها ی نشان داده شده است . از جمله آن کاهش گاف نوار ی تک لا یه با حضور ن یتروژن است که بد ین ترت یب م ی توان با تغییر میزان نیتروژن، در گستره طول مـوجی مـورد احتیاج برای ارتباطات مخابراتی از طریق فیبر نوری ( محدوده 1/3-1/55 میکرون ) ، گسیل نوری داشته باشیم و به عنوان یک پارامتر فعال، درصد نیتـروژن بـه همـراه نوع ساختار این نیمه رسانا، تغییرات طول موجی را برای ما امکان پذیر می سازند . علاوه بر این، به دلیل ناهموتریهای سطحی بـه وجـود آمـده در سـاختار ، از بـازده نوری نمونه کاسته م ی شود . همچن ین حضور افت و خ یزهای سطح ی جایگزیدگی اکس یتونها را ن یز سبب م ی شود که با استفاده از تغ ییرات شدت نـور گـس یلی مـ ی توان به حضور آنها پی برد
Authors
مریم غلامی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد دامغان ،گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بل
حمید هراتی زاده
گروه فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، بلوار دانشگاه، شاهرود، انستیتوی فیز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :