مقایسه ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و InAs در حضور میدان های الکتریکی شدید
Publish place: Iranian Physics Conference 1386
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,246
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC86_306
تاریخ نمایه سازی: 20 دی 1385
Abstract:
با استفاده از شبیه سازی مونت کارلو ، مدلی سه دره ای برای مقایسه خواص ترابرد الکترونها در دو نیمرسانای InAs و InP در حضور میدان های شدید مورد استفاده قرار گرفته است . عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است . مشخصه های ترابرد الکترونها در دو ماده نشان می دهد که سرعت سوق الکترونها در InAs بیشتر از InP بوده و در میدان الکتریکی بزرگتری رخ می دهد . این محاسبات در توافق خوبی با اندازه گیری های تجربی است .
Authors
هادی عربشاهی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار
محمدرضا خلوتی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار