توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe
Publish place: 2nd Nanotechnology Student Conference
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,477
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NANOSC02_282
Index date: 17 January 2007
توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe abstract
در این مقاله لایه های نازک نانوساختار CdSe با روش رسوبگیری از حمام شیمیایی تشکیل شده اند. اثر دمای پخت، مدت زمان پخت و مدت زمان رسوبگیری بر روی گاف انرژی نواری مطالعه شده است. وابستگی دمایی رسانش DC لایه های نانوساختار CdSe مورد مطالعه قرار گرفته است. اندازه نانوبلورها از داده های طرح پراش تخمین زده شده است. نشان داده شده است که می توان با کنترل پارامترهای تهیه گاف انرژی را کنترل نمود.
توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe Keywords:
توصیف ساختاری و بررسی خواص نوری و الکتریکی لایه های نازک نانوساختار CdSe authors
محمد الهی
گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه
نادر قبادی
گروه فیزیک - دانشکده علوم - دانشگاه رازی کرمانشاه