مدلسازی رفتار الکتریکی و شبیه سازی میدانی افزارة خود تعریف گسیل میدانی ساخته شده با نانولوله های کربنی با روش حل معادلات حاکم بر آن
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,285
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_022
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
Abstract:
یکی از مشکلات عمده در ساخت افزاره های نانومتری کنترل پذیری پایین این افزاره ها , چه در مراحل ساخت و چه در مراحل اندازه گیری است، لذا در این مقاله با حل تحلیلی معادلات حاکم بر افزارة ساخته شده با نانولوله های کربنی توانستیم شرایط مناسب جهت ساخت آن را فراهم کنیم و رفتار آن را با توجه به مدل که ارائه خواهد شد، بهینه سازی کنیم . مسالة مهمی که وجود دارد رفتار کوانتمی جالبی است که افزاره های نانومتری در این ابعاد از خود نشان می دهند
Authors
جواد کوهسرخی
آزمایشگاه لایه نازک , دانشکده برق و کامپیوتر , دانشگاه تهران
یاسر عبدی
آزمایشگاه لایه نازک , دانشکده برق و کامپیوتر , دانشگاه تهران ، گروه فیز
شمس الدین مهاجرزاده
آزمایشگاه لایه نازک , دانشکده برق و کامپیوتر , دانشگاه تهران
مایکل رابرتسون
گروه فیزیک , دانشگاه آکادیا ، کانادا