بررسی قطبش اسپینی در ساختار بی نظم Inx Ga(1−x) As در حضور برهمکنش اسپین - مدار
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,446
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_144
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
Abstract:
ساختار نواری دو مادة GaAs و InAs با استفاده از تئوری 8 نواری کین ، محاسبه شده است و با تکیه بر آن در حضور برهمکنش اسپین - مدار و با استفاده از مدل نوارهای صلب ساختار نواری برای ماده بی نظم In بدست آمده است . با استفاده از آن شفافیت سد نیمرسانا و قطبیدگی اسپین برای عبور الکترونها از این ساختار بی نظم محاسبه گردیده است . همچنین اثر درصد ناخالصی بر قطبیدگی اسپین و شفافیت سد بررسی شده است .
Authors
ادریس فیض آبادی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران، دانشگاه علم و صنعت , تهران
محمدرضا خیاط زاده
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران
مهدی سلیمانی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی , تهران