بررسی و بهینه سازی لایه های نازک نیترید سیلیکون به عنوان پوشش ضدبازتاب سلولهای خورشیدی مولتی کریستال سیلیکون با شیوه کندوپاش RF
Publish place: Iranian Physics Conference 1385
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,763
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC85_151
تاریخ نمایه سازی: 13 بهمن 1385
Abstract:
لایههای نازک نیترید سیلیکون بر روی زیرلایههای مولتی کریستال سیلیکون با استفاده از سیستم کندوپاش RF لایه نشانی شدهاند . لایه نشانی در محیط گاز آرگن و نیتروژن انجام شده و با تغییر توان لایه نشانی سعی شده است پوشش ضدبازتاب مناسبی برای سلولهای خورشیدی مبتنی بر مولتی کریستال سیلیکون حاصل گردد . با تغییر توان لایه نشانی نسبت نیتروژن و سیلیکون موجود در لایه تغییر کرده و لایههایی با خواص نوری متفاوت بدست میآید . نسبت سیلیکون به نیتروژن در ترکیب پوششهای ضدبازتاب نیترید سیلیکون بهینه شده به کمک آنالیز RBS بررسی شده است . از آنالیزFTIR برای بررسی خواص نوری این لایهها استفاده شده است . لایههای نیترید سیلیکونی که در محیط آرگن و با توان بین -150 100 وات لایه نشانی شدهاند، درصد عبور نوری بسیار بالایی ) %92 در حدود شفافیت شیشههای نازک ) در طیف وسیع 300-1200 nm دارا می - باشند . لایههای ضدبازتاب نیترید سیلیکون مذکور بازتاب سطح سلولهای مولتی کریستال سیلیکون را از %12 به کمتر از %2 کاهش میدهند
Authors
نگین معنوی زاده
آزمایشگ
بهزاد اسفندیارپور
آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایههای نازک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشکده ف
هادی ملکی
پژوهشکده لیزر، سازمان انرژی اتمی