ارزیابی عملکرد سلولهای خورشیدی سیلیکونی پوشش داده شده با لایه نازک کربن شبه الماسی

در این تحقیق فیلمهای کربن شبه الماسی با ضخامت 240 نانومتر به وسیله تکنیک رسوب شیمیایی از فاز بخار تقویت شده به کمک پلاسمای فرکانس رادیویی با فرکانس mHz 11/65 و با استفاده از گازهای متان و هیدروژن با نسبت1 به 4 بر زیرلایههای سیلیکونی پلی کریستال نوع p اعمال شد. از آزمونهای طیف سنجی UV-Vis-NIR و شبیه ساز خورشیدی به ترتیب برای تعیین درصدبازتاب و بازدهی نمونهها قبل و بعد از لایه نشانی کربن شبه الماسی استفاده شد.پس از اعمال فیلم کربن شبه الماسی با ضخامت 240 نانومتر درصد بازتاب نور از سطح سلولها به میزان 72 درصد کاهش یافت. نتایج حاصل از تست شبیه ساز خورشیدی نشان داد با اعمال لایه نازک کربن شبه الماسی شدت جریان مدار کوتاه ) Isc ( سلولها افزایش و در نتیجه بازدهی به میزان 16 درصد بهبود پیدا کرده است