سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف

Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,309

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICESE01_063

Index date: 8 June 2014

افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف abstract

در سلولهای خورشیدی لایه نازک CIGS به علت ضخامت بسیار کم لایه جاذب و بافر، نور زیادی به کنتاکت پشتی می رسد ،سرعت بالای حاملین (107cm/s)و بازترکیب سطحی از عوامل اصلی تلفات و کاهش بازده این سلولها به شمار می رود و از طرفی لایه اکسید شفاف ZnO که نیمه هادی نوع n است در نقطه اتصالش به کنتاکت فلزی( کاتد) با ایجاد سد شاتکی عامل دیگری در ایجاد تلفات سلول می باشد. در این مقاله برای بهبود بازده این سلولها روشی پیشنهاد شده است که اساس آن افزایش دوپینگ قسمتی از لایه جاذب برای ایجاد میدان سطحی و سوق دادن الکترونها به سمت لایه جاذب به منظور کاهش بازترکیب حاملین در کنتاکت پشتی و افزودن لایه n+ به اکسید شفاف و تبدیل اتصال فلز- نیمه هادی به کنتاکت اهمی برای کاهش اثر سد شاتکی و اثر مقاومت سری سلول است،که اثرات آن به ازای ضخامت های مختلف برای لایه p+ بحث شده است. با استفاده از این روش ، بهترین نتیجه در ضخامت 2.99 میکرومتر برای لایه p+ و100 نانومتر برای لایه n+ بدست آمد که بازده سلول پایه 3.11% افزایش یافته و به 20.63% رسیده است.

افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف Keywords:

اثر لایه p+-اثر لایه n+ - سلول لایه نازک CIGS- بازترکیب سطحی- سد شاتکی

افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف authors

هما هاشمی مدنی

دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات هرمزگان

مسعود جباری

معاون آموزشی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
solid films, vol 387, pp.118-122. ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف" توسط هما هاشمی مدنی، دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات هرمزگان؛ مسعود جباری، معاون آموزشی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت نوشته شده و در سال 1393 پس از تایید کمیته علمی اولین کنفرانس و نمایشگاه بین المللی انرژی خورشیدی پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله اثر لایه p+-اثر لایه n+ - سلول لایه نازک CIGS- بازترکیب سطحی- سد شاتکی هستند. این مقاله در تاریخ 18 خرداد 1393 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1309 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در سلولهای خورشیدی لایه نازک CIGS به علت ضخامت بسیار کم لایه جاذب و بافر، نور زیادی به کنتاکت پشتی می رسد ،سرعت بالای حاملین (107cm/s)و بازترکیب سطحی از عوامل اصلی تلفات و کاهش بازده این سلولها به شمار می رود و از طرفی لایه اکسید شفاف ZnO که نیمه هادی نوع n است در نقطه اتصالش به کنتاکت فلزی( ... . برای دانلود فایل کامل مقاله افزایش راندمان سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با استفاده از ایجاد میدان سطحی و افزایش دوپینگ لایه اکسید شفاف با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.