اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی
Publish place: Iranian Physics Conference 1384
Publish Year: 1384
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,371
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC84_033
Index date: 24 February 2007
اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی abstract
مقالهی حاضر به بررسی نظری اثر ناخالصی نقطهای درون یک لایهی دیالکتریک (I) که بین دو الکترود فرومغناطیس (F) قرار دارد، بر مشخصهی ولت - آمپر و مقاومت مغناطیسی تونلی(TMR) میپردازد . نشان داده شده است که جریان و TMR در نزدیکی ناخالصی به شدت افزایش مییابد . همچنین اگر مکان ناخالصی درون دی الکتریک نسبت به مرز لایهها متقارن نباشد،I-V رفتاری دیودگونه خواهد داشت .
اثر ناخالصی بر TMR و مشخصهی I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی authors
فرامرز کنجوری
دانشکده فیزیک دانشگاه یزد ، یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :