بررسی تماس اهمی ساختار Ni/Cu بر روی سیلیکون چند بلوری نوع n به عنوان تماسهای جلویی در سلولهای خورشیدی
Publish place: Iranian Physics Conference 1384
Publish Year: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,154
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_074
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
Abstract:
در این مقاله، مقاومت تماسی دو ساختار Ni/Cu و Ti/Pd/Ag به سیلیکون چند بلوری نوع n اندازه گیری و بررسی شده است . ساختار Ni/Cu به دلیل ایجاد ارتفاع سد شاتکی بسیار کوچک ( غیر قابل اندازه گیری با روش ) C-V علاوه بر داشتن تماس اهمی بسیار مناسب با مقاومت تماسی بسیار کوچک به عنوان مناسبترین و ارزانترین ساختار به منظور تماس بر روی سیلیکون با مقدار معین آلایش انتخاب می شود . طبق نتایج بدست آمده مقاومت ویژه تماسی ساختار Ni/Cu بعد از گرمادهی در دمای 320 ° C به 4,8*10به توان 6- رسیده است و در مورد ساختار Ti/Pd/Ag بعد از گرمادهی در دمای 480 °C به 8*10 به توان 6- رسیده است .
Authors
فاطمه دهقان نیری
آزمایشگاه تحق
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک ،گروه مهندسی برق وکامپیوتر ،دانشک
محمدهادی ملکی
آزمایشگاه لایه نشانی، بخش مهندسی تولید و تحقیقات لیزر،سازمان انرژی
رویا جلالی
آزمایشگاه تحق
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :