بررسی تماس اهمی ساختار Ni/Cu بر روی سیلیکون چند بلوری نوع n به عنوان تماسهای جلویی در سلولهای خورشیدی
Publish place: Iranian Physics Conference 1384
Publish Year: 1384
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,203
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC84_074
Index date: 24 February 2007
بررسی تماس اهمی ساختار Ni/Cu بر روی سیلیکون چند بلوری نوع n به عنوان تماسهای جلویی در سلولهای خورشیدی abstract
در این مقاله، مقاومت تماسی دو ساختار Ni/Cu و Ti/Pd/Ag به سیلیکون چند بلوری نوع n اندازه گیری و بررسی شده است . ساختار Ni/Cu به دلیل ایجاد ارتفاع سد شاتکی بسیار کوچک ( غیر قابل اندازه گیری با روش ) C-V علاوه بر داشتن تماس اهمی بسیار مناسب با مقاومت تماسی بسیار کوچک به عنوان مناسبترین و ارزانترین ساختار به منظور تماس بر روی سیلیکون با مقدار معین آلایش انتخاب می شود . طبق نتایج بدست آمده مقاومت ویژه تماسی ساختار Ni/Cu بعد از گرمادهی در دمای 320 ° C به 4,8*10به توان 6- رسیده است و در مورد ساختار Ti/Pd/Ag بعد از گرمادهی در دمای 480 °C به 8*10 به توان 6- رسیده است .
بررسی تماس اهمی ساختار Ni/Cu بر روی سیلیکون چند بلوری نوع n به عنوان تماسهای جلویی در سلولهای خورشیدی authors
فاطمه دهقان نیری
آزمایشگاه تحق
ابراهیم اصل سلیمانی
آزمایشگاه تحقیقاتی لایه های نازک ،گروه مهندسی برق وکامپیوتر ،دانشک
محمدهادی ملکی
آزمایشگاه لایه نشانی، بخش مهندسی تولید و تحقیقات لیزر،سازمان انرژی
رویا جلالی
آزمایشگاه تحق
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :