بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف
Publish place: Iranian Physics Conference 1384
Publish Year: 1384
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,340
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
IPC84_082
Index date: 24 February 2007
بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف abstract
در این مقاله تحرک پذیری الکترونها در نیمرسانای InAs با حل مستقیم معادله ترابری بولتزمن به روش تکرار محاسبه و بستگی تحرک پذیری به دما و اتمهای یونیده مطالعه و با نیمرسانای GaAs مقایسه شده است . در محاسبه تحرک پذیری پراکندگی از فونونهای اکوستیکی پتانسیل تغییر شکل ، پیزوالکتریک ، اتمهای یونیده و فونونهای اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیرسهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است .
محاسبات ما نشان می دهد که تحرک پذیری الکترونها در دماهای بالاتر از 50 K به دلیل افزایش آهنگ پراکندگی از فونونها به شدت کاهش می یابد و در دماهای پایین اثر غالب در کاهش تحرک پذیری ناشی از پراکندگی از مراکز ناخالصی است . نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده مقایسه شده است و توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد
بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InAs در میدانهای الکتریکی ضعیف authors
امیرمسعود صادقی
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
محمدابراهیم قاضی
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
هادی عربشاهی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار، سبزوار