پاسخ غیرخطی شیشه های سیلیکات آلاییده با عناصر قلیایی تحت تابش با تپهای فمتوثانیه
Publish place: Iranian Physics Conference 1384
Publish Year: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,420
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IPC84_100
تاریخ نمایه سازی: 5 اسفند 1385
Abstract:
پاسخ غ یرخطی ش یشه های س یلیکات آلاییـ ده بـا عناصـر قل یـ ایی : ) Na2O-CaO-SiO2 سـد یم سـ یلیکات ) ، ) K2O-CaO-SiO2 پتاسـ یم سـ یلیکات ) و ) Cs2O-CaO-SiO2 سـز یم
سیلیکات ) تحت تابش با تپها ی لیزری 200 فمتوثان یه و طول موج 800 نانومتر بررس ی شده است . نتایج تجرب ی نشان م ی دهند که برا ی سز یم سـ یلیکات رفتـار غ یرخطـ ی از انرژی تپ بالاتر از 35 م یکرو - ژول، برا ی پتاس یم س یلیکات 60 م یکرو - ژول و برا ی سد یم س یلیکات 70 م یکرو - ژول ظاهر م ی شود . برای توج یه رفتار غ یرخطی مشاهده شده مدل جذب -3 فوتون ی با در نظر گرفتن جذب الکترونهای آزاد تولید شده ارائه شده است . ضرایب جذب -3 فوتونی و سطح مقطع جـذب الکترونهـا ی آزاد تولیـ ده شـده برای هر سه نمونه مورد آزمایش گزارش شده است .
Authors
کاظم جمشیدی قلعه
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت معلم آذربایجان
نسترن منصور
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شهید بهشتی تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :