پیاده سازی مدارات منطقی با ترانزیستور نانو تیوب کربن
Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 754
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NANOO01_050
Index date: 30 June 2014
پیاده سازی مدارات منطقی با ترانزیستور نانو تیوب کربن abstract
در این مقاله مدارات منطقی با استفاده از ترانزستورهای اثر میدان (FET) بر اساسنانوتیوب های کربن نشان داده شده است طرح پیشنهادی قطعه مشخصه های مطلوبی از جمله بهر (بزرگ تر از 10) نسبت روشن خاموش بالا (بزرگ تر از 105) و عملکرد در دمای اتاق را نشان می دهد مهم تر از آنکه نمونه آزمایشی با گیت های محلی اجازه اجتماع قطعات زیادی را روی یک تراشه فراهم می کند مدارات یک دو و سه ترانزیستوری نشان داده شده است که محدوده ای از عملیات منطقی را به نمایش می گذارند از آن جمله می توان به معکوس گر NOR (NOT) منطقی یک سلول دسترسی اتفاقی اطلاعات Memeory random access و یک اسیلانور ac اشاره کرد که عملکرد هر کدام به طور مستقل توضیح داده شده است. طرح قطعه پیشنهادی اجازه می دهد پدیده های فیزیکی جالب و جدیدی را که منحصر به نانو تیوب هاست از جمله افزودن شدید ناخالصی sttong doping تحلیل دقیق تغییرات جریان تطابق قابل قبول نتایج تئوری با اندازه گیری ها و تغییرات انتشار بار کشف کنیم.
پیاده سازی مدارات منطقی با ترانزیستور نانو تیوب کربن Keywords:
نانو الکتریک , ترانزیستور نانو تویب , ترانزیستور اثر میدان (FET) قطعات مجتمع , تراشه , الکترونیک مولکولی
پیاده سازی مدارات منطقی با ترانزیستور نانو تیوب کربن authors
غلام حسین لطفی
دکترای الکترونیک عضو هئیت علمی دانشگاه علم و صنعت
نگین امیری
دانشگاه کارشناسی رشته مهندسی برق الکترونیک دانشگاه رازی کرمانشاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :