طراحی یک جمع کننده بسیار سریع با توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی کربن نانولوله

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 485

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

PUAST01_106

تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393

Abstract:

ما در این مقاله یک تمام جمع کننده نانو لوله ای که دارای سرعت بالایی می باشد را طراحی کرده ایم. برای طراحی این تمام جمع کننده ما از 10 ترانزیستور برای خروجی Sum و 9 ترانزیستور برای خروجی Carry استفاده کرده ایم. این مدار پیشنهادی به دلیل استفاده از ترانزیست CNTFET دارای سرعت بسیار خوب و توان مصرف بسیار مناسب می باشد.

Authors

امیر شامان پور

گروه مهندسی کامپیوتر دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران۱

نعیم ایروانی

گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کا ربردی گچساران۱

صابر اسدی چهار راه گشین

گروه کامپیوتر اداره آموزش و پرورش گچساران

مهر افروز محمدی کشکولی

گروه فناوری اطلاعات مرکز علمی کا ربردی گچساران۱

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Nanotube Electronics: Design of H igh -Performanc _ arbonع [4] ...
  • S. Timarchi and K. Navi, Arithmetic Circuits of Redundat SUT-RNS, ...
  • A. S. Mollahosseini, K. Navi, C. Dadkhah, O. Kavehei, and ...
  • arb on-Nanotub e-B ased Voltage-Mode Multip le-Valued ع [3] A. ...
  • K. Navi, M. Moayeri, R. F. Mirzaee, O. Hashemipour, and ...
  • K. Navi, M. Maeen, and O. Hashemipour, _ Energy Efficient ...
  • IEICE Electron. Express , vol. 6, no. 9, pp. 553-559, ...
  • C.-H. Chang, J. Gu, and M. Zhang, _ Review of ...
  • C.-H. Chang, M. Zhang, and J. Gu, A Novel Low ...
  • نمایش کامل مراجع