سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس

Publish Year: 1392
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 994

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

NCNTA02_083

Index date: 5 September 2014

آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس abstract

ءGaN به دلیل داشتن خواص و ویژگی های مناسب در ادوات فرکانس و قدرت بالا کاربرد دارد که نوید خوبی برای پیشرفت تکنولوژی محسوب می شود.حضور لایه ی GaN در ساختار های نامتجانس باعث ایجاد گاز الکترون دو بعدی در فصل مشترک لایه ی GaN و لایه ی سد خواهد شد که در همین ساختار ها غلظت DEG,ضخامت لایه ی سد وکسر مولی Al در اثرات قطبیدگی پیزوالکتریک و خود به خودی نقش مهمی را ایفا می کنند.

آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس Keywords:

ءGaN , AlGaN , 2DEG , قطبیدگی پیزوالکتریک , قطبیدگی خود به خودی

آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس authors

پریسا اسماعیلی

دانشجوی کارشناسی ارشد نانوالکترونیک

کریم عباسیان

استاد دانشگاه تبریز

غلامرضا کیانی

استاد دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
. _ J. Robinson and Z. K. Kun, (1975). Appl. ...
.Ab initio studiesJ.-M. Wagner and F. Bechstedt. published 10 September ...
.V. Darakchieva and B. Monemar .2007.On the lattice parameters of ...
.Kenneth L. Holmes. June 2002 _ Two -dimensional modeling of ...
. J. H. Edgar. 1 994.Properties of Group-III Nitrides, (INSPEC, ...
.Agostino Zoroddu, Fabio Bernardini, and Paolo Ruggerone. (Submitted 24 November ...
.Su Jin Kim, Dong Ho Kim, Jae Moo Kim, Kang ...
.peiqiang Xu, yang Jiang, yao Chen, ziguang Ma, xiaoli Wang, ...
.T. saski, T .Matsuka, J. (1998).Appl. Phys. 64, 4531 ...
.R. Dimitrov, L. Witter and . Stutzmann. MARCH 1999.. Journal ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس" توسط پریسا اسماعیلی، دانشجوی کارشناسی ارشد نانوالکترونیک؛ کریم عباسیان، استاد دانشگاه تبریز؛ غلامرضا کیانی، استاد دانشگاه تبریز نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی دومین همایش ملی فناوری نانو از تئوری تا کاربرد پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ءGaN , AlGaN , 2DEG،قطبیدگی پیزوالکتریک , قطبیدگی خود به خودی هستند. این مقاله در تاریخ 14 شهریور 1393 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 994 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که ءGaN به دلیل داشتن خواص و ویژگی های مناسب در ادوات فرکانس و قدرت بالا کاربرد دارد که نوید خوبی برای پیشرفت تکنولوژی محسوب می شود.حضور لایه ی GaN در ساختار های نامتجانس باعث ایجاد گاز الکترون دو بعدی در فصل مشترک لایه ی GaN و لایه ی سد خواهد شد که در همین ساختار ها غلظت DEG,ضخامت لایه ی ... . برای دانلود فایل کامل مقاله آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.