Electrical Parameters of Phosphorous Spin–on Diffusion of Polysilicon Solar Cells
Publish place: 22nd International Power System Conference
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,709
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PSC22_281
تاریخ نمایه سازی: 15 اردیبهشت 1386
Abstract:
This paper describes the fabrication of polysilicon cell with phosphorous spin-on diffusion technique and the electrical parameters measurement of the fabricated solar cells . The current-voltage characteristics of polycrystalline silicon solar cells were measured in the dark . A diode quivalent model was used to describe the electrical properties of solar cells. The diode ideality factor , the saturation current , the series and
shunt resistance have been measured . The best series resistance which has been obtained for polysilicon solar cell has a value of about 3 Ω . The best shunt resistance is about 14.5 kΩ and the saturation current and the A factor of the polysilicon solar cell which is fabricated by
the phosphorous spin-on diffusion method , are respectively 0.00003 A and 3.2 .
Keywords:
Authors
Azimi-Nam
Department of Advanced Material & Renewable Energy , Iranian Research and Organization for Science and Technology
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :