اثر کاهش سد درین در ماسفت های گالیم نیتراد
Publish place: The Second National Conference on New Technologies in Electrical and Computer Engineering
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 792
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
IAUFASA02_002
تاریخ نمایه سازی: 17 اسفند 1393
Abstract:
در این مقاله یک مدل تحلیلی از ماسفت گالیم نیتراید برای تعیین رفتارDIBLتوسعه داده شده است. این مدل تحلیلی ، ولتاژ آستانه را برای قطعه کانال کوتاه ، به نسبتL/a ترکیب می کند. به درین، ولتاژVDS را اعمال کرده وnd تشکیل می گردد که پایه ای برای طراحی مدار و قطعات کانال کوتاه می باشد. این مدل، همچنین شامل معادله پوازون 4 می باشد تا به دقت ناحیه الکتریکی در قسمت درین و اثرات diblراتعریف کند مدل DIBL درقطعات MOS برای درک اثرDIBL دستگاه های CMOS کانال کوتاه توسعه داده شده است تا کنون هیچ مدل تئوری برای ماسفت های با شکاف انرژی بزرگتر ارائه نشده است. این مدل تحلیلی، برای توسعه قطعاتMOSFETوMESFETدر مقیاس های نانو، در آینده مفید است.
Keywords:
Authors
احمدرضا رمضانپور
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا،فسا ، ایران
محسن معصومی
عضو هیت علمی گروه برق و الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد جهرم، جهرم، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :