بررسی مدهای سطحی اپتیکی در آلیاژ Inx Ga1-xN با ساختار بلوری مکعبی InN , GaN به روش طیف سنجی ATR در تابش فروسرخ دور

Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,335

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

SCMI14_052

تاریخ نمایه سازی: 29 تیر 1386

Abstract:

طیف انعکاسی ATR (Attenuated Total Reflection) آلیاژ کپه ای In0.7 Ga0.3N حاوی InN, GaN با ساختار بلوری مکعبی، در ناحیه فروسرخ دور با تابش نور پلاریزه مایل برای تعیین مدهای سطحی این ساختار به روش نظری بررسی شده است. همچنین اثر آلائیدگی با اندازه گیری فرکانس پلاسما و تغییر درصد مولی ترکیبات روی محل این مدهای پلاریتون سطحی مطالعه شده است. محل مدها، ابزار مناسبی برای تعیین مقدار بارآزاد و مقدار Ga , In در این ساختار آلیاژ است.

Authors

مصطفی پورمند

گروه فیزیک دانشگاه یزد، یزد

غضنفر میرجلیلی

گروه فیزیک دانشگاه یزد، یزد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Y ang, T.R., Dvoynenko, N.M., Cheng, Y. F., Phisica. B, ...
  • Herima, H., J. Phys.: Condens. Matter, Vol. 14, PP. 967 ...
  • Nirjalili, G., Parker, T. J., Farjami Shayesteh, S., Bilbil, M.M., ...
  • Nirjalili, G., Dumelow, T., Parker, T. J., Farjami Shayesteh, S., ...
  • Peygham barian, N., Koch, Stephan.W., mysyrowich, A., «Introduction to Semiconductor ...
  • Dumelow, T., Tilley, D. R., Opt. Soc. Am. A, Vol. ...
  • Dumelow, T., El Gohary, A. R., Maslin, K. A., Parker, ...
  • Lipson, S.G., Lipson, H., 4Optical Physice _ _ Cambridge University ...
  • نمایش کامل مراجع