تمام نگاری حجمی در بلور بیسموت سیلیکون اکساید (Bi2SiO20) در چیدمان اختلاط چهار - موج تبهگن
Publish place: 14th Symposium of Crystallography and Mineralogy of Iran
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,589
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMI14_069
تاریخ نمایه سازی: 29 تیر 1386
Abstract:
با استفاد ازچیدمان آزمایشگاهی اختلاط چهار – موج تبهگن شدت پرتوی مزدوج – فاز اپتیکی را در بلور بیسموت سیلیکون اکساید و استفاده از لیزر Nd-YAG با طول موج 532nm و توان 500Mw با بیشینه بازتاب 0.35% اندازه گیری می کنیم. در این بلور بردار توری و چگالی تله به ترتیب m1- 10 به توان 6 ضربدر 10m-1 به توان 23 ضربدر 1 محاسبه می شود.
Authors
محمدحسین مجلس آرا
آزمایشگاه فوتونیک، گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم
دستان هرمزی نژاد
آزمایشگاه فوتونیک، گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم