طراحی مرجع باندگپ سیلیکونی با اصلاح انحنا مرتبه دوم
Publish place: The Second International Conference on New Achievements in Engineering and Basic Sciences
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 561
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
AEBSCONF02_059
تاریخ نمایه سازی: 16 خرداد 1394
Abstract:
در این مقاله، در تکنولوژی 0.18 میکرومتر با استفاده از روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس و جریان زیر آستانه ماسفت ها ، مداری طراحی شده است که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم می باشد ، با استفاده از نرم افزار HSPICE و شبیه سازی مدار پیشنهادی، نواحی عملکرد مناسب ترانزیستورها تعیین شد. بر اساس این طرح ضریب دمایی 1.4673 و نسبت عدم پذیرش منبع تغذیه 66.9db- در محدوده دمایی 0 تا 120 درجه سانتیگراد بدست آمده است.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :