Future Nano chip with (La, Sr) CoO3 (LSCO)
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 741
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MATHPHY02_136
تاریخ نمایه سازی: 30 شهریور 1394
Abstract:
Shrinking the chip device size down to nano scale range, caused that SiO2 could not be as a good gate dielectric for the next CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) devices. A very obvious alternative material is (La,Sr) CoO3 (LSCO), due to its high dielectric constant, wide band gap and good thermal stability on silicon substrate. We have thus demonstrated a number of processes to synthesize LSCO and studied its nano structural properties with using XRD (X-ray diffraction), FT-IR (Fourier transform infrared spectroscopy), SEM (Scanning Electron Microscopy) and AFM (Atomic Force Microscopy) techniques. The obtained results show that LSCO (at 500 0C with amorphous structure) with high dielectric constant (~16) and lower leakage current can be introduced as a good gate dielectric for the future of CMIS (Complementary Metal Insulator Semiconductor) device
Keywords:
Authors
M. Roeinfard
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran
A. Ramzannezhad
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran
N. Mirnia
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran
A. Bahari
Department of Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :