سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Ab initio calculations of electronic properties of CdS, CdSe, CdTe nano sheets

Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: English
View: 726

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICNN05_625

Index date: 21 November 2015

Ab initio calculations of electronic properties of CdS, CdSe, CdTe nano sheets abstract

The structural, electronic properties of CdS, CdSe, CdTe nano sheets were studied by employing an abinitio pseudo potential method and a linear response scheme, within the generalized gradient approximation. Thecalculated lattice constant, electronic band structure, partial and total density of states were determined in hexagonalstructure by using the Quantum-ESPRESSO ab initio simulation package based on pseudo potential method. Theresults show that CdS, CdSe,CdTe nano sheets are semiconductors and owing to their direct larg gap.

Ab initio calculations of electronic properties of CdS, CdSe, CdTe nano sheets Keywords:

Ab initio calculations of electronic properties of CdS, CdSe, CdTe nano sheets authors

Z Medhati

Departmentof physics,Computational physics Lab, Islamic Azad University Qom branch, Qom, Iran

F Kanjouri

Faculty of physics, University of Kharazmi, Tehran, Iran

H Tashakori

Departmentof physics,Computational physics Lab, Islamic Azad University Qom branch, Qom, Iran