طراحی تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز با استفاده ازHJFET برای کاربرد وایمکس

سیدمحمدرضا ابطحی; نجمه چراغی شبرازی; روزبه حمزه ئیان

طراحی تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز با استفاده ازHJFET برای کاربرد وایمکس

Publish place: International Conference on Research in Engineering, Science and Technology

Publish Year: 1394

Type: Conference paper

Language: Persian

This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/398651

Document National Code:

RSTCONF01_585

Index date: 21 November 2015

طراحی تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز با استفاده ازHJFET برای کاربرد وایمکس abstract

در این مقاله به طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ی کم نویز (LNA) باند باریک بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز برای کاربردوایمکس پرداخته شده است. در طراحی این LNA ، به منظور دستیابی به بهره ی بالا، از یک HJFET فوق کم نویز در توپولوژی سورس مشترک به صورت ساختار سه طبقه استفاده شده است. برای حداقل کردن عدد نویز تقویت کننده، شبکه ی تطبیق ورودی بهگونه ای طراحی شده که امپدانس دیده شده از ورودی به سمت منبع، برابر با امپدانس نویز بهینه گردد . شبکه های تطبیق با به کار گیری ترکیبی از خازن و خطوط انتقال مایکرواستریپ طراحی شده اند. پس از شبیه سازی به وسیله ی نرم افزار ADS ، بهره وعدد نویز به ترتیب49/06و0/328 دسی بل توان مصرفی 101 میلی وات و ضرائب VSWR ورودی وخروجی به ترتیب 1/08 و1/1 بدست آمده اند دراینجا به منظور مقایسه عملکرد تقویت کننده دوضریب شایستگی FOM1وFOM2 به ترتیب 66/79و96/59 محاسبه شدند که نسبت به طرح های پیشین اختلاف محسوسی دارند

طراحی تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز با استفاده ازHJFET برای کاربرد وایمکس Keywords:

گیگاهرتز 3 , 5 , خطوط مایکرواستریپ , تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا , وایمکس , HJFET

طراحی تقویت کننده فوق کم نویز بهره بالا در فرکانس 3/5 گیگاهرتز با استفاده ازHJFET برای کاربرد وایمکس authors

سیدمحمدرضا ابطحی

دانشجو، کارشناسی ارشد، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران

نجمه چراغی شبرازی

مربی ، دکترای الکترونیک، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران

روزبه حمزه ئیان

مربی ، دکترای مخابرات، گروه برق، دانشکده تحصیلات تکمیلی دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

BWIGHz] S, [dB] 21 21 20 12 7/9 22/4 29/13 ...

/1-2/9 5/5-6/5 3/6 3/11 1/41 ...

Akhchaf, I., Khoulji, S., Essaaidi, M. and Larbi, M. (2012). ...

_ Balanis, C.A. (1982). Antenna Theory: Analysis and design, Harper ...

Bevilacqua, A. and Niknejad, A. M. (2004). An ultra wideband ...

mW 3-10 GHz common-gate CMOS UWB LN A using T-match ...

Gao, Y. Y. Zheng, and Ooi, B. (2007). A 0, ...

Huang1 Z. and Hung, C. (2011). CMOS Dual-Band Low Noise ...

Ismail, A. and Abidi, A. (20 04). A 3-1 . ...

Parvizi, M., Allidina, K. and El-Gamal, M. (2014). A Sub-mW, ...

Pozar, D. (20 01). Microwave and RF Wireless System. Third ...

Radmanesh, M. (20 07). RF & Microwave Design Essentials, PP. ...

Razavi, B. (1998). RF micro electronic, Prentice Hall, Inc. ...

Reiha, M. and Long, J. (2007). A 1, 2 V ...

Reinhold, L. and Bretchko, P. (2000). RF Circuit Design, pp. ...

RO30 03 TW, RO30 06 W, RO3010 TMand RO3035TM High ...

Sapone, G. and Palmisano, G. (2010). A 3-1 . -GHz ...

Silaj, S. (2012). Highly Lineac LNA Design for 4G WiMAX ...

Wei, M., Bormann, D., Kaehlert, S., Werth, T., Liao, L., ...

Wu, C.H., Chou, C.H., and Lyu, Y.G. (2010). A 4 ...

نمایش کامل مراجع