ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن
Publish place: The Second National Congress of New Technologies of Iran with the aim of achieving sustainable development
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,553
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
SENACONF02_042
Index date: 21 November 2015
ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن abstract
در این مقاله معرفی و مقایسه جدیدترین ساختارهای ترانزیستورهای اثر میدانی که توانائی بالائی در بهره برداری از ویژگی های منحصر به فرد گرافن دارند/ انجام شده است انالیزها در این مقاله بر اساس شبیه سازی میباشد که در مقیاس نانو معادله NANOTCAD ساختار با استفاده از شبیه سازی پایسون شرودینگر را با استفاده از تابع سبز غیر یکنواخت حل می کند و همچنین یک ترانزیستور اثر میدان کاملا دو بعدی با سدهای مختلف در ناحیه کانال با در نظر گرفتن تمام فاکتورهای موثر ازجمله برخوردها ظرفیت های خازنی پارازیت و پارامتر جهش و... شبیه سازی شده و نسبت جریان روشن به خاموش بزرگتر از 104 دست یافته شده است همچنین برتری این ساختار نسبت به ترانزیستورهای عمودی با کانال گرافنی و ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بررسی شده است.
ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن Keywords:
گرافن هگزا گونال برون نیترید هگزا گونال برون کربن نیترید ترانزیستور عمودی ترانزیستور دو بعدی
ترانزیستورهای اثر میدان کاملاً دو بعدی گرافن authors
بهناز موثق
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی نانو الکترونیک دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :