بررسی حرارتی و جریان نانوسیال در حضور میدان مغناطیسی با روش گالرکین
Publish place: 1404 National Conference on Vision and Technological Advances in Engineering Sciences
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 647
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TAES01_118
تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394
Abstract:
در این مقاله انتقال حرارت و جریان غیرپایا در حضور میدان مغناطیسی بین دو صفحه متحرک بررسی می شود. تأثیر اثرات ترموفرسیس و همچنین حرکات براونی در مدل جریان نانوسیال لحاظ شده است. سه معادله حاکم به کمک روش تحلیلی گالرکین حل می شود. مقایسه بین این روش با کارهای گذشته دقت حل این روش را تأیید می کند. شبیه سازی نیمه تحلیلی پارامترهای مؤثری را به وجود می آورد که عبارتند از: عدد اسکوز، عدد اکرت و عدد هارتمن، نتایج نشان می دهند که با افزایش عدد هارتمن و عدد اسکوز ضریب اصطکاک پوسته ای سیال افزایش می یابد. همچنین با افزایش عدد هارتمن و عدد اکرت مقدار عدد ناسلت کاهش می یابد.
Keywords:
Authors
نیما هدایتی
ساختمان مهیدسی مکانیک دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ,ایران
عباس رامیار
ساختمان مهیدسی مکانیک دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل ,ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :