شبیهسازی و تحلیل اثر غلظت آلایش بر روی شاخص فرکانس قطع در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک درین و سورس
Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 597
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_729
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
در سالهای اخیر بحث فناوریهای جایگزین برای فناوریCMOS به شدت رونق گرفته است، که در این میان فناوری نانو الکترونیک بسیار مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی به عنوان یکی ازپرکاربردترین ادوات نانو الکترونیک آینده در حوزهی دیجیتال و آنالوگ در پژوهشهای فراوانی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است، که از جمله کاربرد های آن، در حوزهی فرکانس بالا میباشد. در این پژوهش، ما با استفاده از فرمولبندی تابعگرین غیر تعادلی، تأثیر میزان غلظت آلایش را بر روی شاخص فرکانس قطع افزارهی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی باآلایش سبک درین و سورس شبیهسازی کرده و مورد تحلیل قرار دادهایم. همچنین ثابت کردهایم که کاهش غلظت آلایش ناحیه با آلایش سبک، اگرچه باعث کاهش نرخ جریان روشن به خاموش، بهخصوص در جریانهای روشن بزرگ میشود، اما عملکرد فرکانسی ترانزیستور را در محدودهی وسیعی از ولتاژ گیت-سورس به خوبی بهبود میبخشد
Keywords:
ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی , تابع گرین غیر تعادلیNEGF , آلایش سبک درین و سورس , , فرکانس قطعfT
Authors
محمدجواد توکلی سراوانی
گروه برق موسسه آموزش عالی مهرآستان
سیدعلی صدیق ضیابری
گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :