MOS مدل اصلاح شده توان آلفا برای ترانزیستورهای
Publish place: 13th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1384
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,793
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE13_021
تاریخ نمایه سازی: 27 آبان 1386
Abstract:
در این مقاله تغییری در مدل توان آلفا اعمال می کنیم که ضمن افزایش دقت مدل توان آلفا در ناحیه اهمیک، با وارد کردن آثار کانال کوتاه در مدل، آن را برای استفاده در فن آوری های زیر
میکرون مناسب می سازد . این مدل بسته، برای جریان درین افزاره ارائه شده است که در فن آوری های زیر میکرونی از دقت بالاتری نسبت به برخی مدلهای متداول ] ۱ [ برخوردار
است . علاوه بر آن این مدل دارای قابلیت کاهش مقی اس ١ می باشد و نسبت به مدل های ] ۲و۳ [ ساده تر است . به منظور بررسی میزان دقت مدل ارائه شده نتایج را با نتایج استخراج
شده از hspice مقایسه می کنیم . به عنوان نمونه در مدل ارائه شده متوسط قدر مطلق خطا در فن آوری µm ۵۳ / ۰ برابر ۸ / ۲ درصد است . این مدل تا فن آوری µm ۷۰ / ۰ از دقت کافی بر خوردار است و بنابر این در مقیاس های پایین نیز جواب گو است .
Keywords:
Authors
امیر علی شیرازی بهشتی
گروه برق وکامپیوتر دانشکده فنی دانشگاه تهران
احسان روحانی
گروه برق وکامپیوتر دانشکده فنی دانشگاه تهران
کمال عبدی
گروه برق وکامپیوتر دانشکده فنی دانشگاه تهران
علی افضلی کوشا
گروه برق وکامپیوتر دانشکده فنی دانشگاه تهران