طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ چهارربعی مد ولتاژ CMOS در تکنولوژی 053 نانومتر با توان و ولتاژ مصرفی پایین در فرکانس های بالا
Publish place: 2st National Conference on Development of Civil Engineering, Architecure,Electricity and Mechanical in Iran
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 467
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM02_077
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
Abstract:
در این مقاله یک ضرب کننده آنالوگ مد ولتاژ CMOS که می تواند در فرکانس های بالا با توان مصرفی کم و پهنای خطی زیاد کار کند، ارائه شده است. ساختار اولیه ضرب کننده پیشنهادی، شامل سلول های ترکیب کننده با استفاده از ترانزیستوری CMOS بوده و نتایج شبیه سازی به کمک نرم افزار Hspice در تکنولوژی nm 053 انجام گرفته است. توان مصرفی در حدود μw 5 . 42 با ولتاژ تغذیه 1 ولت به دست آمده است. فرکانس قطع مدار در حدود GHZ 2 می باشد. مدار دارای اعوجاج هارمونیک کلی (THD) حدود % 1 بوده و در طرح پیشنهادی خطای خطی بسیار کم است. همچنین ضرب کننده پیشنهادی قابلیت عملکرد به عنوان دوبرابرکننده فرکانس را نیز دارد.
Keywords:
Authors
محمد ستوده نیاکرانی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان، گروه مهندسی برق ، سیرجان، ایران
حلیمه نورمحمدی قاسم آبادی
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد انار،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :