طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامترDIBL
Publish place: The first national conference on electrical engineering of Islamic Azad University, Langarud branch
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 417
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEES01_027
تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394
Abstract:
در این مقاله یک ساختار جدید باری ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL و اثر خود گرمایی می باشد.
Keywords:
Authors
صمد قلندری
کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
آرش احمدی
استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :