بهینه سازی سطح سیلیکون حکاکی شده به وسیله محلول های TMAH و IPA برای کاربردهای میکروالکترومکانیکال (MEMS)
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 633
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOLE04_170
تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1394
Abstract:
حکاکی سیلیکون نقش مهمی در زمینه ساخت میکرو ماشین کاری دارد این ماده زیر لایه اولیه است که در صنعت میکرو الکترونیک به کار می روند در این تحقیق حکاکی در راستاهای 1ن 00 و 110 و 111 با استفاده از تترامتیل آمونیوم هیدروکسید TMAH صورت می پذیرد. ناهمواری سطح سیلیکون حکاکی شده موضوع مهمی بود که بر روی آن مطالعه صورت گرفت. حکاکی درس دمای مختلف با غلظت محلول مختلف بدون الکل ایزوپروپیل انجام گرفت. تأکید بر ناهمواری و زبری سطح سیلیکون حکاکی شده نشان می دهد که این ناهمواری وابستگی شدیدی به درجه حرارت و غلظت محلول دارد. براساس نتایج تجربی و ملاحظات نظری، سازوکار حکاکی توضیح داده شده است.
Keywords:
Authors
آذر دخت مظاهری
گروه اپتیک و لیزر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان، شاهین شهر
ابوذر علی بازی
گروه نانو فیزیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان، شاهین شهر
مرتضی چرمی
گروه نانو فیزیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر اصفهان، شاهین شهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :