افزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند در تکنولوژی 13. میکرومتر CMOS
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 716
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEEE07_162
Index date: 8 May 2016
افزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند در تکنولوژی 13. میکرومتر CMOS abstract
در این مقاله، مدار تقویت کننده ی کم نویز (LNA) دارای دو طبقه در بازه ی فرکانسی پهن باند (10/6-3/1 GHz) ارائه و توسط نرم افزار ADS شبیه سازی شده است . در این تقویت کننده برای رسیدن به بهره بالا و نویز کم در طبقه اول از روش استفاده مجدد جریان با فیدبک مقاومتی و در طبقه دوم برای به دست آوردن بهرهی تخت و پهنای باند زیاد از مدار سورس مشترک استفاده شده است. نتایج طراحی و شبیه سازی بهره ای درحدود dB 19±3 زمانی که تلفات بازگشتی در پورت ورودی (S11) وخروجی (S22) زیر 10dB و ایزولاسیون معکوس (S21) کمتر از 34dB را نشان می دهد. عدد نویز مدار پیشنهادی بین 2dB و 2/6dB در پهنای باند مورد نظر است. مدار ارائه شده پایدار، خطی و با توان مصرفی پایین می باشد که نسبت به کارهای انجام شده دراین زمینه عملکرد بسیار مطلوبی دارد.
افزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند در تکنولوژی 13. میکرومتر CMOS Keywords:
افزایش بهره و بهبود عملکرد نویزی تقویت کننده کم نویز فرا پهن باند در تکنولوژی 13. میکرومتر CMOS authors
سعید خدابخشی
دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی وفناوری پیشرفته کرمان
محمدحسین استوارزاده
دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی وفناوری پیشرفته کرمان
احمد حکیمی
دانشگاه شهید باهنر کرمان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :