تقویت کننده دو طبقه CMOS با بهره فوق العاده بالا و توان پایین براساس ساختارهای خودکسکود و بهبود مقاومت خروجی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,199
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEE07_326
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
Abstract:
در این مقاله یک تقویت کننده دو طبقه بهره بالا با ساختاری از معماری ویدلار کلاسیک ارائه شده است. طبقه ورودی تفاضلی این تقویت کننده با استفاده از ساختارهای خودکسکود با نسبت ابعاد معکوس در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند که اگر یکی از ترانزیستورها به گونه ای بایاس شود که در این ناحیه کار کند می توان یک بهره ولتاژ خیلی بالا بدست آوردکه موجب ایجاد خازن بزرگتر در خروجی شده و پاسخ فرکانسی آنرا محدود میکند. خازن بزرگتر در خروجی طبقه تفاضلی ورودی، نیاز برای یک خازن جبران ساز داخل تراشه را به حداقل می رساند و یا برطرف می کند که در این صورت مساحت اشغال شده تراشه کاهش می یابد. همچنین این عملکرد منجر به اعوجاج کم، توان مصرفی پایین و کاهش ظرفیت خازن جبران ساز می شود. این ساختار شامل دو یا چند ترانزیستور پشته شده با ترمینال گیت مشترک می باشدکه اگر نسبت ابعاد افزاره کسکود ترانزیستور مورد نظر بزرگتر از افزاره درایور آن نگه داشته شود میتواند مقاومت خروجی را بهبود دهد.
Keywords:
Authors
صبا ناصری اکبر
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اسلامشهر تهران،ایران
علی رضا طاهر
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد دامغان تهران،ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :