مکانیسم تعامل و رفتار رشد سیلیسن بر روی زیر لایه

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 536

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE07_469

تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395

Abstract:

سیلیسن یک تک لایه از اتم های سیلیکون است که در یک شبکه لانه زنبوری قرار گرفته است ، بیشترین توجه را بخاطر خواص الکترونیکی برجسته اش به خود جلب کرده است. اخیرا با ساختارهای موفقیت آمیز سیلیسن روی چندین سطوح فلزی مختلف ، گام بزرگی بسوی استفاده از سیلیسن در ابزار میکروالکترونیک در آینده برداشته است در این طرح برای برنامه های کاربردی سیلیسن ، دو موضوع مهم باید مورد توجه قرار گیرد : 1چگونگی بهبود کیفیت سیلیسن-2 چگونگی حفظ خواص الکترونیکی فوق العاده سیلیسناین دو مسئله را باید با درک عمیق تاثیر زیر لایه در سیلیسن برطرف کرد.در اینجا بصورت سیستماتیک تاثیر زیر لایه در ساختار اتمی و ویژگی های الکترونیکی ورق سیلیسن و همچنین رفتار رشد سیلیسن روی سطح نقره را بررسی می کنیم.که هم برای ساخت و هم برای کاربردهای سیلیسنمهم هستند

Authors

فرحناز ذاکریان

گروه برق واحد یزد،انشگاه آزاد اسلامییزد، ایران

شیرین صباح

گروه برق واحد مهریز ، دانشگاه آزاد اسلامییزد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Takeda K and Shiraishi K. 1994 Phys. Rev. B 50, ...
  • Cahangirov S, Topsakal M, Aktirk E, Sahin H and Ciraci ...
  • Ding Y and Ni J. 2009 Appl. Phys. Lett. 95, ...
  • Pan L, Liu H J, Wen Y W, Tan X ...
  • ق [5] _ _ Bekaroglu E, Akturk E, Senger ...
  • Liu C-C, Jiang H and Yao Y. 2011 Phys. Rev. ...
  • Liu C-C, Feng W and Yao Y. 2011 Phys. Rev. ...
  • Voon L C L Y, Sandberg E, Aga R S ...
  • _ _ _ _ Aga R S and Lew Yan ...
  • Ding Y and Wang Y. 2012 Appl. Phys. Lett. 100, ...
  • Drummond N D, Zolyomi V and Fal'ko C I. 2012 ...
  • _ _ _ 2012 ...
  • Lalmi B, Oughaddou H, Enriquez H, Kara A, Vizzini S, ...
  • _ Y, He X, Cheng P, _ ...
  • Lin C-L, Arafune R Kawahara K, Tsukahara N, Minamitani E, ...
  • _ _ _ _ Aufray B ...
  • _ _ G, _ 2012 ...
  • Gao J and Zhao J. 2012 Sci Rep 2, 861. ...
  • Fleurence A, Friedlein R, Ozaki T, Kawai H, Wang Y ...
  • Liu H, Gao J and Zhao J. 2013 J. Phys. ...
  • نمایش کامل مراجع