سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک

Publish place: Third National Conference on New Technologies in Electrical and Robotics Industries
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 721

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/463442

Document National Code:

RDERI03_001

Index date: 8 May 2016

روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک abstract

مقاله به شناخت پدیدهی خودتحریکی و چسبیدگی کلید RF MEMS مبتنی بر تکنولوژی III-V بهنگام اعمال امواج مختلف پرداخته است. این کلیدها دارای پد تحریک پذیر TaN و لایه ی تحریک 2TaO5 میباشند، که این مواد جایگزین مناسبی برای سیلیکون هستند، همچنین به شناخت خواص عناصر دیالکتریک و پد تحریک پرداخته شده است. این عملیات با اعمال امواج تک قطبی و دوقطبی در پریودهای متفاوت صورت پذیرفته است. سپس روشی پیشنهاد میکنیم که اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V را حذف میکند. نتایج شبیهسازی بیانگر بهبود پارامترهای کلید و افزایش میزان اطمینان پذیری آن است.

روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک Keywords:

روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک authors

محمد سنگ ساز بدر

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
_ G.M. Rebeiz, G.-L. Tan, and J.S. Hayden "RF MEMS ...
L. Zhou, "RF MEMS Contact Switches for Reconfigurable Antennas", Degree ...
V.K. Varadan, K. Vinoy, and K.A. Jose, "RF MEMS and ...
J. Wibbeler, G. Pfeifer, and M. Hietschold, "Parasitic charging of ...
C.S. Kang, H.-J. Cho, Y.H. Kim, R. Choi, K. Onishi, ...
S. Melle, D. De Conto, D. Dubuc, K. Grenier, O. ...
7-G. S. Oehrlein, "Oxidation temperature dependence of the dc electrical ...
8-J.B. Muldavin "Design and analysis of series & shunt MEMS ...
9-G. Rebeiz, RF MEMS Theory, Design and technology. New jersey, ...
J. C. M. Hwang, "Reliability of electrostatica Iy actuated RF ...
11-D. Mardivirin, A. Pothier, A. Crunteanu, B. Vialler and P.Blondy ...
12-M. Lamhamdi, J. Guastavino, L. Boudou, Y. Segui, P. Pons, ...
13-G. Bartolucci, R. Marcelli, S. Catoni, B. Margesin, F. Giacomozzi, ...
14-R. Marcelli, G. Papaioannu, S. Catoni, G. De Angelis, A. ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک" توسط محمد سنگ ساز بدر، دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی سومین همایش ملی فناوریهای نوین در صنایع برق و رباتیک پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله قابلیت اطمینان، خودتحریکی، چسبیدگی، تکنولوژی III-V ، کلید RF MEMS هستند. این مقاله در تاریخ 19 اردیبهشت 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 721 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که مقاله به شناخت پدیدهی خودتحریکی و چسبیدگی کلید RF MEMS مبتنی بر تکنولوژی III-V بهنگام اعمال امواج مختلف پرداخته است. این کلیدها دارای پد تحریک پذیر TaN و لایه ی تحریک 2TaO5 میباشند، که این مواد جایگزین مناسبی برای سیلیکون هستند، همچنین به شناخت خواص عناصر دیالکتریک و پد تحریک پرداخته شده است. این عملیات با اعمال امواج تک قطبی ... . این مقاله در دسته بندی موضوعی چسب و رزین طبقه بندی شده است. برای دانلود فایل کامل مقاله روشی نوین برای حذف اثر خودتحریکی و چسبیدگی RF MEMS های مبتنی بر تکنولوژی III-V و برطرف کردن شارژینگ خازن دی الکتریک با 11 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.