بررسی و تعیین نقش عایق سطح بندی شده و نامتقارن ترکیبی بین گیت و بدنه بر توان نشتی در ترانزیستورهای MOS کانال کوتاه
Publish place: 3rd International Conference on Applied Research in Computer Engineering and Information Technology
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 482
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CITCONF03_323
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
Abstract:
در این مقاله منابع توان نشتی شامل جریانهای نشتی بررسی و اثر مواد دی الکتریک روی انها شبیه سازی گردیده است و در این راستا روشهای کاهش توان نشتی گیت با استفاده از عایق و ماد دی الکتریک بصورت متقارن بشک استک و پشته همچنین بصورت سطح بندی شد ه و غیر قابل متقارن تحلیل و مقایسه شدهاست استفاده از عایق ترکیبی بصورت سطح بندی و نامتقارن منجر به بهبود عملکرد دیوایس از نظر کاهش توان نشتی گردیدهاست.
Keywords:
Authors
شاپور گلبهار حقیقی
استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز واستاد مدعو دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
خداداد خالق پناه
دانشجوی کاشناسی ارشد رشته مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد سپیدان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :