مدل سازی خازن حاشیه ای داخلی و خارجی گیت های فلزی و پلی سیلیکون در افزاره های نانومتری SOI و روند تغییرات آنها با ضریب دی الکتریک
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,468
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_319
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله اثر خازن حاشیه ای خارجی و داخلی گیت فلزی و پلی سیلیکون بر روی خازن موثر گیت در افزاره های نانومتری SOI بررسی شده است. با استفاده از یک مدل تحلیل نشان داده می شود که اثر خازن حاشیه ای گیت های پلی بر روی خازن موثر گیت بیش از تاثیر خازن حاشیه ای گیت های فلزی می باشد. در ضمن با بررسی خازن حاشیه ای داخلی و خارجی پلی سیلیکون روند تغییرات آن با تغییر ضریب دی الکتریک بررسی شده است. ما نشان داده ایم که خازن حاشیه ای کل به ازاء مقدار ضریب دب الکتریک مناسب مینیمم می گردد.
Keywords:
Authors