معرفی روش نوین ساخت نانوسیستم های سیلیکانی با تکنیک لایه برداری عمودی در حضور پلاسمای هیدروژن
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,069
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_352
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
روش نوینی برای ساخت نانوساختارهای سیلیکانی بر روی زیر لایه سیلیکان ارائه شده است. این تکنیک بر مبنای لایه برداری عمودی از سیلیکان در حضور پلاسمای هیدروژن است که جزو روش های "بالا به پاییین" می باشد. پس از لایه نشانی نیکل به عنوان نقاب، آن را با استفاده از روش PECVD، توسط هیدروژن بمباران می کنیم تا جزیره های نانومتری نیکل تشکیل شود. سپس زیرلایه ی سیلیکان، با تکرار متوالی دو مرحله ی اکسید کردن و لایه برداری در حضور گاز SF6، به صورت عمودی خرده شده و نانوسیستم های سیلیکانی ساخته می شوند. ما توانستیم با استفاده از این روش، نانوسیستم های سیلیکانی با قطر بین 100 الی 600 نانومتر و طول بیش از 15 میکرومتر را بسازیم.
Keywords:
Authors
هادی حسین زادگان
دانشگاه تهران
امیر سماک
دانشگاه تهران
سهیل عظیمی
دانشگاه تهران
شمس الدین مهاجر زاده
دانشگاه تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :