مدل دو بعدی نانو ترانزیستورهای دو گیتی بدون اتصال در حضور حاملهای داغ
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 519
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0508
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
در این مقاله ابتدا یک مدل پتانسیل دو بعدی برای تانزیستورهای بدون اتصال دو گیتی در حضور بارهای به دام افتاده پیشنهاد شده است. مدل به دست آمده بر پایه تلفیق روش مد ناپایدار و تقریب سهمی می باشد. براین اساس پتانسیل به صورت مجموع مولفه یک بعدی پتانسیل کانال بلند و مولفه دو بعدی کانال کوتاه به دست می آید. در قطعات با طول کانال کوتاه، در بخشی از کانال بارهای به دام افتاده در سطح واسط نیمه هادی و اکسید گیت در نظر گرفته می شود. این بارها بر روی مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر می گذراند. با استفاده از مدل پتانسیل به دست آمده در حضور بارهای به دام افتاده، اثرات کانال کوتاه مانند تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل القایی درین و شیب زیر آستانه بررسی و برای آنها روابطی تحلیلی ارائه می شود. برای تایید دقت مدل تحلیلی، نتایج مدل پیشنهادی با نتایج حاصل از شبیه ساز قطعه ATLAS مقایسه می شود.
Keywords:
Authors
کبری بیگی
دانشگاه شهرکرد، دانشکده فنی و مهندسی، گروه مهندسی برق
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :