سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با استفاده از Si111 و GaAs111

Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 740

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICEASCONF01_261

Index date: 30 July 2016

طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با استفاده از Si111 و GaAs111 abstract

با توجه به اینکه مصرف انرژی در جهان رو به افزایش است و منابع سوختهای فسیلی در حال تمام هستند از این رو علاقه به استفاده از منابع تجد یدپذیر از جمله انرژی خورشیدی رو به افزایش است. سلولهای خورشیدی چند پیوندی به دلیل اینکه طیف بیشتری از نور خورشیدی را جذب می کنند نسبت به سلولهای خورشیدی دیگر دارای بازده بیشتری هستند. از سو یدیگر سلولهای خورشیدی سیلیکونی نیز برای مصارف زمینی به دلیل کم هزینه بودن و در دسترس بودن از علاقه زیادی برخوردار هستند. در این مقاله سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با استفاده از نرم افزار سیلواکو طراحی و شبیه سازی شده است یکی ازمشکلات طراحی این سلول خورشیدی وجود 4% عدم تطابق شبکه بین گالیم آرسناید و سیلیکون می باشد که به چگونگی شبیه سازی و حل این مشکل در نرم افزار سیلواکو پرداخته شده است در نهایت پس از تغییر ضخامت لایه ها و تغییر مواد به کار رفته در این سلول خورشیدی ولتاژ مدار باز ایده آل 3/05 ولت و جریان اتصال کوتاه ایده آل 14/41 میلی آمپر بر سانتی متر مربع و بیشترین بازده 38/55% به دست آمده است.

طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با استفاده از Si111 و GaAs111 Keywords:

طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با استفاده از Si111 و GaAs111 authors

سینا عزیزی فر

دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

محسن ایمانیه

دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
افتخاری مصطفی , سلحشور محمد , هاشمی سیدیوسف، "مطالعه و ...
یانگ ادواردس 1978" مبانی قطعات نیمه رسانا"، ترجمه دکتر ناصر ...
ATLAS Users Manual Device Simulation Software, SILVACO International , (20 ...
Bates. Andrew D, ،Novel optimization techniques for multijunction solar cell ...
Bauhuis.G. J , et al., "Wafer reuse for repeated growth ...
Gnilenko.A.B _ Plaksin.S.V, " Mechanically Stacked Triple-junction GaInP / GaAs ...
Jain.Nikhil et al, " Performance Evaluation of Het erogeneously Integrated ...
King.R. R, et al., "40% efficient metamorphic G aInP/GaInAs/s e ...
Ong.Z.X, "Transport imaging of multi-junction and CIGS solar cell materials, ...
"Solar Cell Structure "[Online] .Available: http ://www. pveducation. _ g/p ...
Shahrjerdi.D. et al., _ _ Hi gh-efficiency thin-film In GaP/InGaAs/G ...
Soga.T, (editor), _ _ nostructured Materials for Solar Energy Conversion" ...
Souza.Sh.D" The Down-to-Eart Future of Si Substrate Multi-junction Concentrator Photovoltaics" ...
Wilkins M M. , A. Boucherif, R. Beal, J.E. Haysom, ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با استفاده از Si111 و GaAs111" توسط سینا عزیزی فر، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا؛ محسن ایمانیه، دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله سلول خورشیدی، سه پیوندی، سیلواکو هستند. این مقاله در تاریخ 9 مرداد 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 740 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که با توجه به اینکه مصرف انرژی در جهان رو به افزایش است و منابع سوختهای فسیلی در حال تمام هستند از این رو علاقه به استفاده از منابع تجد یدپذیر از جمله انرژی خورشیدی رو به افزایش است. سلولهای خورشیدی چند پیوندی به دلیل اینکه طیف بیشتری از نور خورشیدی را جذب می کنند نسبت به سلولهای خورشیدی دیگر دارای ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با استفاده از Si111 و GaAs111 با 11 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.