افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی
Publish place: The Iranian National Conference Modern Engineering Design
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,164
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
INCMED01_036
Index date: 30 July 2016
افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی abstract
در این مقاله ما کاهش میزان انعکاس از سطح سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه و افزایش جذب در سلول خورشیدی را در بازه nm350 تا nm850 با استفاده از کریستال های فوتونیکی دو بعدی با شبکه مثلثی حفره به عنوان لایه ضد بازتابنده، در مقایسه با سلول های خورشیدی سیلیکون آمورف هیدروژنه با پوشش ضد بازتابنده از جنس اکسید رسانای شفاف، ایندیم تین اکسید (ITO) را ارائه می دهیم. شبیه سازی ها در بازه nm350 تا nm850 با استفاده از شبیه ساز FDTD انجام می شود. در این ساختار از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیکی حفره هوا با ساختار مثلثی از جنس ITO استفاده می شود، که باعث کاهش انعکاس 2.9% از سطح سلول خورشیدی و افزایش انتقال نور 4.11% به لایه جاذب، نسبت به لایه ضد بازتابنده غیر کریستال فوتونیکی می شوند
افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی Keywords:
افزایش میزان جذب سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه با استفاده از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیک دو بعدی authors
لیلا راستگو
موسسه آموزش عالی سراج- دانشکده فنی مهندسی برق- تبریز- ایران
نسیم ملا اسماعیلی
موسسه آموزش عالی سراج - دانشکده فنی مهندسی برق- تبریز- ایران
حامد علیپور بنائی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز- گروه مهندسی الکترونیک- تبریز- ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :