محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO
Publish place: سومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,364
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON03_142
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
در این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار 3/3eV بوده و در ازایتابش 1000mW/cm2 میزان جریان نوری حدود 10 میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع پرداخته شده است.
Keywords:
Authors
محدثه کاسه گر
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
سید صالح قریشی
عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
شهریار تمندانی
عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :