محاسبه ضریب جذب نوری و جریان الکتریکی در نانوسیم های ZnO

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,364

This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICESCON03_142

تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395

Abstract:

در این مقاله با استفاده از محاسبه ترازهای انرژی نانوسیم های ZnO ، ابتدا باند انرژی این ساختار را محاسبه کرده و سپس به محاسبه ضریب جذب نور می پردازیم.با در نظر گرفتن طول عمر حامل ها و ارائه مدل مناسب برای این موضوع به محاسبه جریان الکتریکی ناشی از جذب نور پرداختیم.ملاحظه می شود که پهنای باند انرژی برای این ساختار 3/3eV بوده و در ازایتابش 1000mW/cm2 میزان جریان نوری حدود 10 میلی آمپر بدست می اید.این پارامترها به طول نانوسیم ها و نیز قطر انها بستگی داشته که در این مقاله به این موضوع پرداخته شده است.

Authors

محدثه کاسه گر

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری

سید صالح قریشی

عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

شهریار تمندانی

عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • M. Razeghi and A. Rogalski, _ Semiconductor ultraviolet detectors, " ...
  • M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. ...
  • S. Basu and A. Dutta, "Modified heterojunction based on zinc ...
  • Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. ...
  • K. Liu, M. Sakurai, and M. Aono, "ZnO-based ultraviolet pho ...
  • H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. ...
  • O. Lupan, V. M. Gu_erin, I. M. Tiginyanu, V. V. ...
  • O. Lupan and T. Pauport_e, "Hydrothermal treatment for the marked ...
  • M. E. Swanwick, S. M. Pfaendler, A. I. Akinwande, and ...
  • ZnOء 10C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, ...
  • C.-H. Chen and C. T. Lee, "High detectivity mechanism of ...
  • X. W. Fu, Z. M. Liao, Y. B. Zhou, H. ...
  • nano wire/graphene vertical structure based fast-response ultraviolet photodetector, " Appl. ...
  • E. S. Ates, S. Kucukyildiz, and H. E. Unalan, "Zinc ...
  • H. X. Chang, Z. H. Sun, K. Y. Ho, X. ...
  • J. Yi, J. M. Lee, and W. I. Park, :Vertically ...
  • B. Nie, J. G. Hu, L. B. Luo, C. Xie, ...
  • T. Pauport_e, D. Lincot, B. Viana, and F. Pell_e, "Toward ...
  • H. E. Belghiti, T. Pauport_e, and D. Lincot, "Mechanistic study ...
  • O. Lupan, T. Pauport_e, and B. Viana, "Low voltage UV ...
  • rd. _ _ co NFERENCE oN _ _ ENGl NEERING ...
  • efficient UV -light-emitting diode fabrication, " ACS Appl. Mater. Interfaces ...
  • P. Mandin, T. Pauport_e, P. Fanouille re, and D. Lincot, ...
  • T. Pauport_e, E. Jouanno, F. Pell_e, B. Viana, and P. ...
  • A. V. Babichev, V. E. Gasumyants, and V. Y. Butko, ...
  • A. V. Babichev, _ Y. Butko, M. S. Sobolev, E. ...
  • H. Moormann, D. Kohl, and G. Heiland, _ function and ...
  • T. H. Han, Y. Lee, M. R. Choi, S. H. ...
  • J. Appl. Phys. 83, 5447 (1998). ...
  • F. Urbach, "The _ ong -wavelength edge of photographic sensitivity ...
  • R. C. Rai, "Analysis of the Urbach tails in absorption ...
  • R. H. Bube, Photo conductivity of Solids (Wiley, New York, ...
  • electrical characteristics of high -performance ZnO nanorod field-effect transistors, " ...
  • J. A. Garrido, E. Monroy, I. Izpura, and E. Munoz, ...
  • V. Dobrokhotov, D. N. McIlroy, M. G. Norton, A. Abuzir, ...
  • H. Chen, J. Wang, H. Yu, H. Yang, S. Xie, ...
  • Z. Fan, D. Wang, P. C. Chang, W. Y. Tseng, ...
  • T. J. Hsueh, C. L. Hsu, S. J. Chang, Y. ...
  • J. F. Muth, R. M. Kolbas, A. K. Sharma, S. ...
  • rd. _ _ co NFERENCE oN _ _ ENGl NEERING ...
  • V. Srikant and D R. Clarke, "On the optical band ...
  • نمایش کامل مراجع