طراحی لایه ی سد ترانزیستور AlGaAs/InGaAs PHEMT ازطریق بهینه سازی مشخصات DC و RF ترانزیستور
Publish place: International Conference on New Research Findings in Science, Engineering and Technology with a Focus on Need-Based Research
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 545
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICMRS01_233
تاریخ نمایه سازی: 8 آبان 1395
Abstract:
در این مقاله لایه ی سد در ترانزیستورهای AlGaAs/InGaAs PHEMT که ماده ی AlGaAs بوده و طراحی آن در مشخصات خروجی افزاره بسیار اهمیت دارد مورد بررسی قرار گرفته است. به این منظور اثرات تغییر ضخامت لایه ی سد و تغییرات مقدار درصد مولی آلومینیوم در ترکیب سه تایی AlxGa1-xAs بررسی شده است. بررسی ها نشان می دهد با افزایش ضخامت لایه ی سد از 10 تا 60 نانومتر جریان درین افزایش یافته درحالیکه بیشینه ی هدایت انتقالی کاهش می یابد. بیشینه ی fT و fMAX در محدوده ی ضخامت 10 تا 30 نانومتر لایه ی سد رخ داده و بیشترین مقادیر آنها بترتیب GHz 8/48 وGHz 265 است. با افزایش درصد مولی آلومینیوم از 0/15 تا 0/4 مقدار جریان درین و بیشینه ی هدایت انتقالی کاهش می یابند. همچنین بیشینه ی fT و fMAX بترتیب GHz 40 و GHz 201 در درصد مولی آلومینیوم برابر 0/24 اتفاق می افتد. به منظور طراحی دقیق تر ترانزیستور، نحوه ی تغییرات نمودار هدایت انتقالی بررسی شده تا گستره ی مقدار غیر صفر هدایت انتقالی مشخص شود.
Keywords:
Authors
محسن حق پناه
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
علیرضا عرفانیان
دانشیار دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
احمد عفیفی
دانشیار دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
سیدغیاث الدین طباطبایی پور
دانشیار دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :