یک مدار جدید مبتنی بر ترانسفورمر مغناطیسی برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت با قابلیت انتقال پالسهائی با ضریب وظیفه صفر تا یک
Publish place: 14th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,106
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE14_297
تاریخ نمایه سازی: 25 تیر 1387
Abstract:
در این مقاله، مدار جدیدی برای درایو گیت ترانزیستورهای قدرت (MOSFET/IGBT) ارائه گردیده است. در این مدار برای ایاد ابزولاسیون بین ترانزیستور قدرت و بخش کنترل کننده، از یک ترانسفورمر مغناطیسی بسیار کوچک استفاده کردیده که ضمن کاستن از فضای مورد نیاز برای پیاده سازی مدار درایو، سبب دستیابی به سطح پالس مثبت و منفی قرینه و مستقل از ضریب وظیفه سیگنالی کنترلی می گردد. نتایج حاصل از شبیه سازی به همراه نتایج عملی یک نمونه طراحی شده ارائه گردیده که مبین عملکرد رضایت بخش مدار درایو پیشنهادی می باشد.
Keywords:
Authors
داود شکاری بیرق
اصفهان، دانشگاه صنعتی اصفهان، دانشکده برق و کامپیوتر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :