سنتز و مشخصه یابی نانو ذرات طلا در لایه های نازک SiO2

در این تحقیق، لایه های نازک SiO ، حاوی 3/2 % طلا روی زیر لایه شیشه ای به روش سل ژل تهیه گردید. ابتدا نمونه ها در دمای 80 درجه سانتیگراد خشک شدند و سپس در دماهای مختلف پخت گردیدند و اثر تغییرات دما بر طیف جذبی لایه ها، زبری و اندازه دانه های سطحی ، انرژی گاف و ترکیب شیمیایی نمونه ها بررسی شده است . تحلیل بر اساس نتایج طیف سنجی نوری مریی - فرابنفش نشان میدهد با افزایش دمای پخت از 200 به 400 درجه سانتیگراد مکان قله جذبی از 550 به 516nm انتقال یافته و انرژی گاف نمونه ها نیز از 3/63 به 3/75eV افزایش یافته است. تصاویر AFM حاکی از کاهش اندازه ذرات سطحی از 187 به 113nmبا بالا رفتن دماست، و این در حالی است که آنالیز XRD اندازه نانو کریستال های طلا را 25nm برآوردمیکند. در نهایت با استفاده از نتایج اسپکتروسکوپی فتوالکترون های اشعه ایکس (XPS ) میتوان دریافت که با افزایش دمای پخت کسر مولی Au/Si در سطح بیشتر میشود.