High Voltage Lateral SOI PIN Diode without Impurity Doped Junctions: Investigation and Proposal
Publish place: کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و مهندسی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 600
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICRSIE01_078
تاریخ نمایه سازی: 25 آذر 1395
Abstract:
In this paper, we propose an approach for realizing a high-voltage lateral SOI PIN diode without doping the SOI film using high temperature thermal budgets. Applying different metal work function electrodes, the electron charge plasma and hole charge plasma are induced in an intrinsic silicon film to create the n cathode and the p anode regions, respectively. Using two-dimensional device simulations, we have evaluated the performance of the high-voltage charge plasma PIN (CP-PIN) diode. We demonstrate that without the need to create deep diffused doped regions, the performance of the CP-PIN diode in forward and reverse bias conditions is identical to that a conventional SOI PIN diode with similar dimensions.
Keywords:
Authors
M. Jagadesh Kumar
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Delhi, Hauz Khas, India
Sara H. Ahmady
Block 226, Jomhoory st, Valiasr St, Tehran, Iran.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :