An Approach, Using Memristor, To Improve Properties of an Operational Amplifier
Publish place: کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و مهندسی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 813
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICRSIE01_340
تاریخ نمایه سازی: 25 آذر 1395
Abstract:
In this paper, employed new techniques and novel method to improve properties of a single-stage operational amplifier. In the proposed circuit, the memristor is used for reducing consumption power and area, and enhance gain. To evaluate the usefulness of the circuit, HSPICE simulation results are provided using a 90 nm BSIM level 54 mixed-signal CMOS technology, in 3 corners (TT, FF, and SS) and different temperatures (27 °C, 85 °C and -40 °C) . According to the results (proposed CMOS-memristor circuit), area and power, have been reduced and gain and phase margin increased.
Keywords:
Authors
Mahdi Momeni
Department of Electrical Engineering, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran,
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :