سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده دو هرتی کلاس E در فرکانس 4.2 گیگا هرتز

Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 756

This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICEECET03_072

Index date: 24 February 2017

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده دو هرتی کلاس E در فرکانس 4.2 گیگا هرتز abstract

در این پایان نامه از یک تقویت کننده توان دو هرتی در فرکانس مرکزی 2/4GHZ با بازدهی بالا طراحی و شبیهسازی شده است تقویت کننده توان دو هرتی یک روش افزایش بازده در تقویت کننده های توان می باشد. در اینشبیه سازی از تکنولوژی ED02AH یا 0.18RF CMOS و ترانزیستورهای GaN HEMT از جنس گالیمآرسناید استفاده شده است. ویژگی منحصر به فرد تقویت کننده توان دو هرتی ساختار ساده آن می با شد که از دوتقویت کننده ی توان موازی و خطوط انتقال تشکیل شده است. برای مجتمع سازی بهتر مدار، خطوط انتقال تقویتکننده توان دو هرتی توسط اجزای سلفی و خازنی پیاده سازی شد. برای بهبود بازدهی ابعاد تقویت کننده کمکی رابزرگتر و توان ورودی بیشتری توسط تقسبم کننده توان به آن اختصاص داده شده است، که با استفاده از نرمافزار ADS طراحی شده است توان دو هرتی طراحی شده دارای بیشینه توان خروجی 39dBm، پیک متوسط6/5%dB و بازده تخلیه بالای 60%-50% می باشد.

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده دو هرتی کلاس E در فرکانس 4.2 گیگا هرتز Keywords:

تقویت کننده توان دو هرتی , تونو و ی GaAS , تقس م کننده توان , نر افزار ADS

طراحی و شبیه سازی تقویت کننده دو هرتی کلاس E در فرکانس 4.2 گیگا هرتز authors

روزیتا بزرگی

دانشکده فنی و مهندسی-دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
GaAsدرکاربردها ی مخابراتی" پایان نامه کارشناسی ارشد، دانشگاه صنعتی خواجه ...
J. Moon, J. Kim, I.Kim, J. Kim, and B. Kim, ...
Jonathan Lees, Johannes Benedikt, Keith P Hilton, Jeff Powell, Richard ...
I3] K. Bathich , Z. Markos , and Georg Boeck, ...
L. Piazzon, R. Giofrue, P. Colantonio, and F. Giannini, 2015, ...
_ M. A. Yarleque Medina, D. Schreurs, I. Angelov, B. ...
Greb ennikov.A, Memberand _ S, OCTOBER 2012, " A Dual-Band ...
I7] Vladimir Aparin and Lawrence . Larson, Fellow, IEEE, February ...
/8]X. Fu, 2012 , _ Dual-band Power Amplifier for Wireless ...
/9 X. Zheng, Y. Liu1, C.Yu1, S. Li1, and J. ...
/10 Youngoo Yang, Member, IEEE, Jeonghyeon Cha, Bumjae Shin, and ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "طراحی و شبیه سازی تقویت کننده دو هرتی کلاس E در فرکانس 4.2 گیگا هرتز" توسط روزیتا بزرگی، دانشکده فنی و مهندسی-دانشگاه آزاد اسلامی واحد دورود نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی سومین کنفرانس بین المللی در مهندسی برق، الکترونیک و کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله تقویت کننده توان دو هرتی، تونو و ی GaAS ، تقس م کننده توان، نر افزار ADS هستند. این مقاله در تاریخ 6 اسفند 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 756 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این پایان نامه از یک تقویت کننده توان دو هرتی در فرکانس مرکزی 2/4GHZ با بازدهی بالا طراحی و شبیهسازی شده است تقویت کننده توان دو هرتی یک روش افزایش بازده در تقویت کننده های توان می باشد. در اینشبیه سازی از تکنولوژی ED02AH یا 0.18RF CMOS و ترانزیستورهای GaN HEMT از جنس گالیمآرسناید استفاده شده است. ویژگی منحصر ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و شبیه سازی تقویت کننده دو هرتی کلاس E در فرکانس 4.2 گیگا هرتز با 15 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.