طراحی تقویت کننده کم نویز، فوق پهن باند CMOS و با توان مصرفی کمتر با استفاده از تکنیک حذف نویز
Publish place: The first national conference on electrical engineering of the Young and Elite Researchers Club
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 567
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BPJCEE01_147
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
Abstract:
اینمقاله طرحی را برای یک نقویت کننده کم نویز فوق پهن باند CMOS و با توان ککم ارائه می دهد که از یک تکنیک حذف نویز با فرآیند TSMC 0.18 μm RF استفاده می کند. UWB LNA پیشنهادی از یک ساختار استفاده دوباره از جریان استفاده می کند تا به جای استفاده از یک طبقه آبشاری، مصرف توان کل را کاهش دهد. این ساختار، همان مقدار جریان DC برای اجرای همزمان دو ترانزیستور را مصرف می کند. تکنیک تنظیم یک در میان که برای دستیابی به یکنواختی بهره در فرکانس موردنظر گزارش شده است تا نقاط فرکانس تشدیدی پایین و بالا را روی کل پهنای باند از 3.1 تا 10.6 GHz داشته باشیم. نقاط تشدید در 3GHZ تا 10GHZ تنظیم شدند تا یکنواختی بهره کافی و اتلاف بازتابشی (برگشتی) را موجب شوند. بعلاوه، تکنیک حذف نویز برای حذف منبع غالب نویز استفاده شدند که توسط اولین ترانزیستور تولید می شوند. نتایج شبیه سازی یک بهره تخت و یکنواخت (S21> 10 dB) را با یک امپدانس ورودی خوب کمتر از 10dB- و نیز یک مینیمم رقم نویز 2.9dB را روی کل باند نشان می دهند. UWB LNA پیشنهادی، 15.2mW از یک منبع توان 1.8V را مصرف می کند.
Keywords:
Authors
سعید عزیزی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
مجتبی صادقی
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :